去年6月，英特爾與德國(guó)聯(lián)邦政府達(dá)成了協(xié)議，雙方宣布簽署了一份修訂的投資意向書(shū)，計(jì)劃投資超過(guò)300億歐元，在馬格德堡興建兩座新的晶圓廠。德國(guó)聯(lián)邦政府已同意提供100億歐元補(bǔ)貼，包含了來(lái)自《歐洲芯片法案》和來(lái)自政府的激勵(lì)措施及補(bǔ)貼。據(jù)HardwareLuxx和Heise.de報(bào)道，英特爾已經(jīng)提交了德國(guó)新建晶圓廠的示意圖，顯示初期為兩座晶圓廠Fab 29.1和Fab 29.2，將安裝世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工具，英特爾還留有足夠的空間，最多能再興建另外六座晶圓廠。預(yù)計(jì)首批兩座晶圓廠會(huì)在2027年第四季度投入運(yùn)營(yíng)，Intel 14A和Intel 10A兩個(gè)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)相信都在計(jì)劃之內(nèi)。Fab 29.1和Fab 29.2占地約8.1萬(wàn)平方米，總長(zhǎng)度為530米，寬度為153米，每層高度在5.7至6.5米之間，共三層，加上用于空調(diào)和供暖的屋頂結(jié)構(gòu)，建筑物高度達(dá)到了36.7米。其中High-NA EUV光刻機(jī)會(huì)安裝在層高為6.5米的第二層，上下兩層用于材料物流，提供必要的資源，比如水、電和化學(xué)品。根據(jù)ASML提供的模型，第一代支持High-NA的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)將使用4-9次High-NA EUV曝光和總共20-30次EUV曝光。除了兩座晶圓廠，園區(qū)內(nèi)還有眾多支持建筑，包括冷卻器和沸騰器（BC1）、倉(cāng)庫(kù)（WH1）、超純水儲(chǔ)存（PB1）、特殊氣體儲(chǔ)存（BG1）、空氣分離廠 （AU1）、辦公樓（OB1）、服務(wù)大樓（SB1）、數(shù)據(jù)中心（DC1）、廢水預(yù)處理大樓（WT1）、堿性廢水預(yù)處理（NH4W）、以及停車場(chǎng)（PK1）。Fab 29將采用380千伏高壓供電并包含獨(dú)立的供電站，英特爾計(jì)劃使用電池儲(chǔ)能系統(tǒng)來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的柴油發(fā)電機(jī)作為備用電源，強(qiáng)調(diào)了其對(duì)可持續(xù)性的承諾。Fab 29所在的新修建道路將以著名物理學(xué)家和計(jì)算先驅(qū)Ada Lovelace Chaussee的名字命名，與英偉達(dá)現(xiàn)有的游戲GPU架構(gòu)同名。